Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method
R. Kom Kammeugne
(1)
,
C. Leroux
(1)
,
J. Cluzel
(1)
,
L. Vauche
(1)
,
C. Le Royer
(1)
,
R. Gwoziecki
(1)
,
J. Biscarrat
(1)
,
F. Gaillard
(1)
,
M. Charles
(1)
,
E. Bano
(2)
,
G. Ghibaudo
(2)
R. Kom Kammeugne
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J. Biscarrat
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F. Gaillard
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M. Charles
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E. Bano
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G. Ghibaudo
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