%0 Journal Article %T Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method %+ Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) %+ Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation (IMEP-LAHC) %A Kammeugne, R. Kom %A Leroux, C. %A Cluzel, J. %A Vauche, L. %A Royer, C. Le %A Gwoziecki, R. %A Biscarrat, J. %A Gaillard, F. %A Charles, M. %A Bano, E. %A Ghibaudo, G. %< avec comité de lecture %@ 0018-9383 %J IEEE Transactions on Electron Devices %I Institute of Electrical and Electronics Engineers %P 1-5 %8 2020 %D 2020 %R 10.1109/TED.2020.3015466 %Z Engineering Sciences [physics] %Z Engineering Sciences [physics]/Micro and nanotechnologies/MicroelectronicsJournal articles %G English %L cea-02972351 %U https://cea.hal.science/cea-02972351 %~ CEA %~ UNIV-SAVOIE %~ UGA %~ CNRS %~ INPG %~ IMEP-LAHC %~ DSV %~ DRT %~ CEA-DRF %~ LETI %~ CEA-GRE %~ UGA-EPE