FDSOI for cryoCMOS electronics: device characterization towards compact model - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

FDSOI for cryoCMOS electronics: device characterization towards compact model

Bruna Cardoso Paz
  • Fonction : Auteur
Flavio Bergamaschi
  • Fonction : Auteur
Ghibaudo Gérard
  • Fonction : Auteur
Francesco Serra
  • Fonction : Auteur
Quentin Berlingard
  • Fonction : Auteur
André Juge
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Vincent
Philippe Galy
  • Fonction : Auteur
Marcelo Pavanello
  • Fonction : Auteur
Maud Vinet
  • Fonction : Auteur
Tristan Meunier
  • Fonction : Auteur

Résumé

We present a status of FDSOI transistors electrical characterization for very low temperature operation. We highlight in particular singular transport and thermal effects occurring at low T. We also present the physical and analytical models associated with various characteristic electrical parameters, paving the way towards cryogenic compact models.
Fichier non déposé

Dates et versions

cea-04249903 , version 1 (19-10-2023)

Identifiants

Citer

Mikael Casse, Bruna Cardoso Paz, Flavio Bergamaschi, Ghibaudo Gérard, Francesco Serra, et al.. FDSOI for cryoCMOS electronics: device characterization towards compact model. IEDM 2022, Dec 2022, San Francisco, United States. pp.827, ⟨10.1109/IEDM45625.2022.10019322⟩. ⟨cea-04249903⟩
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