Nonlinear direct band gap and Raman shift strain dependence in germanium under high uniaxial stress - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Nonlinear direct band gap and Raman shift strain dependence in germanium under high uniaxial stress

Kevin Guilloy
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
Alban Gassenq
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
Nicolas Pauc
  • Fonction : Auteur
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
Samuel Tardif
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
Francois Rieutord
Nanostructures et Rayonnement Synchrotron
François Rieutord
J.M. Escalante
  • Fonction : Auteur
Nanophotonics Technology Centre, Universidad Politecnica de Valencia
Ivan Duchemin
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Y. M. Niquet
  • Fonction : Auteur
Laboratory of Atomistic Simulation
P. Gentile
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures
Guilherme Osvaldo Dias
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
D. Rouchon
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
J.M. Hartmann
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1041954
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Alexei Chelnokov
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Richard Geiger
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
Thomas Zabel
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
Hans Sigg
  • Fonction : Auteur
Paul Scherrer Institute
Jerome Faist
  • Fonction : Auteur
Eidgenössische Technische Hochschule - Swiss Federal Institute of Technology [Zürich]
Vincent Reboud
  • Fonction : Auteur
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
Vincent Calvo
Silicon Nanoelectronics Photonics and Structures

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Energie électrique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

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https://cea.hal.science/cea-01994354

Soumis le : vendredi 25 janvier 2019-13:57:25

Dernière modification le : mardi 10 décembre 2024-03:32:01

Fichier non déposé

Dates et versions

cea-01994354 , version 1 (25-01-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-01994354 , version 1

Citer

Kevin Guilloy, Alban Gassenq, Nicolas Pauc, Samuel Tardif, Francois Rieutord, et al.. Nonlinear direct band gap and Raman shift strain dependence in germanium under high uniaxial stress. E-MRS spring meeting, May 2016, lille, France. ⟨cea-01994354⟩

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