Si/Si 0.7 Ge 0.3 A2RAM nanowires fabrication and characterization for 1T-DRAM applications - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives

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French (FR)

English (EN)

Conference Papers Year : 2021

Si/Si 0.7 Ge 0.3 A2RAM nanowires fabrication and characterization for 1T-DRAM applications

(1) , (1, 2) , (1) , (1) , (1) , (1) , (1) , (1) , (1) , (2) , (2) , (2)

1
2

J. Lacord

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Tcheme Wakam

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Z. Chalupa

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

J.-M. Hartmann

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

P. Besson

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

V. Loup

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

C. Vizioz

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

L. Brevard

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

F. Aussenac

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Xavier Mescot

Function : Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

K. Lee

Function : Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

M. Bawedin

Function : Author

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Abstract

A2RAM devices are fabricated using an adaptation of Si-Nanowire process flow. They include a Si-SiGe heterostructure to improve memory performance. Even the device structure is not exactly what we expect, we succeed to evidence 1T-DRAM programming.

Keywords

1T-DRAM A2RAM electrical characterization

Domains

Micro and nanotechnologies/Microelectronics

Bruno Savelli : Connect in order to contact the contributor

https://cea.hal.science/cea-04822891

Submitted on : Friday, December 6, 2024-11:19:45 AM

Last modification on : Monday, January 20, 2025-3:31:00 PM

Dates and versions

cea-04822891 , version 1 (06-12-2024)

Identifiers

HAL Id : cea-04822891 , version 1
DOI : 10.1109/EuroSOI-ULIS53016.2021.9560676

Cite

J. Lacord, F. Tcheme Wakam, Z. Chalupa, J.-M. Hartmann, P. Besson, et al.. Si/Si 0.7 Ge 0.3 A2RAM nanowires fabrication and characterization for 1T-DRAM applications. EuroSOI-ULIS 2021 - Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, Sep 2021, Caen, France. pp.1-4, ⟨10.1109/EuroSOI-ULIS53016.2021.9560676⟩. ⟨cea-04822891⟩

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