Communication Dans Un Congrès Année : 2023

A cost effective RF-SOI Drain Extended MOS transistor featuring PSAT=19dBm @28GHz & VDD=3V for 5G Power Amplifier application

Xavier Garros
  • Fonction : Auteur
Alexis Divay
  • Fonction : Auteur
Joris Lacord
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Thibaud Fache
  • Fonction : Auteur
Sebastian Cremer
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Vincent Knopik
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Alexandre Giry
Ismael Charlet
Jérémie Forest
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Nathalie Revil
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Pascal Chevalier
  • Fonction : Auteur
David Roy
  • Fonction : Auteur
Blandine Duriez
  • Fonction : Auteur

Résumé

A high voltage N-type Drain Extended MOS (NDEMOS) in 40nm RFSOI technology is presented for PA application. After a careful optimization of the drain extension, the NDEMOS transistor exhibits a fT.BV>700 GHz.V & fMAX=205GHz at Lg=70nm & VDD=2V, that meet the PA requirements at mmW frequency. The large-signal RF performance of a common-source NDEMOS PA cell are assessed. It exhibits 19.2dBm of PSAT @VDD=3V, that may be further improved in a cascode configuration. With this NDEMOS device, this 300mm SOIMMW technology becomes a very cost effective platform for Front End modules (FEM) that can be competitive with other CMOS technologies.

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Dates et versions

cea-04524927 , version 1 (28-03-2024)

Identifiants

Citer

Xavier Garros, Alexis Divay, Joris Lacord, Ayssar Serhan, Thibaud Fache, et al.. A cost effective RF-SOI Drain Extended MOS transistor featuring PSAT=19dBm @28GHz & VDD=3V for 5G Power Amplifier application. IEDM 2023, Dec 2023, SAN FRANCISCO, United States. ⟨10.1109/IEDM45741.2023.10413696⟩. ⟨cea-04524927⟩
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