Effect of Defect Production on Photoluminescence Properties in He ion Implanted Methylammonium Lead Tri-Iodide Perovskite Layers - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Effect of Defect Production on Photoluminescence Properties in He ion Implanted Methylammonium Lead Tri-Iodide Perovskite Layers

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

cea-02339728 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : cea-02339728 , version 1

Citer

Pierfrancesco Aversa, Heejae Lee, Minjin Kim, Olivier Plantevin, Olivier Cavani, et al.. Effect of Defect Production on Photoluminescence Properties in He ion Implanted Methylammonium Lead Tri-Iodide Perovskite Layers. International Conference on Perovskite Thin Film Photovoltaics (ABXPV18), Feb 2018, Rennes, France. ⟨cea-02339728⟩
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