Confirmation of the growth mechanism of the buffer layer in epitaxial graphene on SiC. - Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Confirmation of the growth mechanism of the buffer layer in epitaxial graphene on SiC.

Fichier principal
Vignette du fichier
ICSCRM2023_Prudkovskiy_VS.pdf (515.45 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

cea-04577305 , version 1 (16-05-2024)

Identifiants

  • HAL Id : cea-04577305 , version 1

Citer

Vladimir Prudkovskiy, Roselyne Templier, Alexandre Moulin, Nicolas Troutot, Guillaume Gelineau, et al.. Confirmation of the growth mechanism of the buffer layer in epitaxial graphene on SiC.. ICSCRM 2023 - International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2023, Sorrente, Italy. ⟨cea-04577305⟩
0 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More