Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory - CEA - Commissariat à l’énergie atomique et aux énergies alternatives

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Conference Papers Year : 2020

Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory

(1) , (2) , (3) , (2) , (2) , (1) , (1) , (2) , (4) , (3) , (3) , (1) , (1) , (1)

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3
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Anna Lisa Serra

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Tobias Vogel

Function : Author

Materials Science, Technische Universität Darmstadt

Gauthier Lefevre

Function : Author

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Stefan Petzold

Function : Author

Materials Science, Technische Universität Darmstadt

Nico Kaiser

Function : Author

Materials Science, Technische Universität Darmstadt

Guillaume Bourgeois

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Marie-Claire Cyrille

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Lambert Alff

Function : Author

Materials Science, Technische Universität Darmstadt

Christina Trautmann

Function : Author

Helmholtz Centre for Heavy Ion Research

Christophe Vallée

Function : Author

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Sylvain David

Function : Author

Laboratoire des technologies de la microélectronique

Christelle Charpin-Nicolle

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Gabriele Navarro

Function : Author
PersonId : 1072989

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Etienne Nowak

Function : Author

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Abstract

In this work we analyze, thanks to both material and 4kb memory arrays characterization, the different effects of heavy ion radiation at high fluences on Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ and Ge-rich GeSbTe based Phase-Change Memory (PCM).

Keywords

Radiation hardness radiation effects phase-change memory PCM Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ Ge-rich GeSbTe interfacial layer PCM

Domains

Micro and nanotechnologies/Microelectronics

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RADECS_Vf.pdf (948.87 Ko)

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Gabriele Navarro : Connect in order to contact the contributor

https://cea.hal.science/cea-03086407

Submitted on : Tuesday, December 22, 2020-4:03:58 PM

Last modification on : Tuesday, September 3, 2024-11:16:05 AM

Dates and versions

cea-03086407 , version 1 (22-12-2020)

Identifiers

HAL Id : cea-03086407 , version 1

Cite

Anna Lisa Serra, Tobias Vogel, Gauthier Lefevre, Stefan Petzold, Nico Kaiser, et al.. Heavy Ions Radiation Effects on 4kb Phase-Change Memory. RADECS 2020, Oct 2020, Virtual Conference, France. ⟨cea-03086407⟩

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