%0 Journal Article %T Operando x-ray photoelectron emission microscopy for studying forward and reverse biased silicon p-n junctions %+ Laboratoire d'Etude des NanoStructures et Imagerie de Surface (LENSIS) %+ Peter Grünberg Institute %+ Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI) %+ Centre de Recherches en Oncologie biologique et Oncopharmacologie (CRO2) %A Barrett, N. %A Gottlob, D. M. %A Mathieu, C. %A Lubin, C. %A Passicousset, J. %A Renault, O. %A Martinez, E. %< avec comité de lecture %@ 0034-6748 %J Review of Scientific Instruments %I American Institute of Physics %V 87 %N 5 %8 2016 %D 2016 %R 10.1063/1.4948597 %Z Physics [physics]Journal articles %G English %L cea-01481549 %U https://cea.hal.science/cea-01481549 %~ CEA %~ CNRS %~ UNIV-AMU %~ DRT %~ IRAMIS-SPEC %~ CEA-UPSAY %~ UNIV-PARIS-SACLAY %~ CEA-UPSAY-SACLAY %~ LETI %~ CEA-GRE %~ GS-ENGINEERING %~ IRAMIS %~ GS-PHYSIQUE %~ INSTITUT-SCIENCES-LUMIERE